三星电子近日宣布正在开发下一代DRAM（Dynamic Random Access Memory），旨在大幅提升AI智能手机和PC的计算性能。这一技术突破将为移动设备带来更强大的AI处理能力，推动智能手机在AI应用中的表现迈向新高度。 此次三星电子重点优化了移动HBM（High Bandwidth ...

中国台湾研究院半导体中心研究员杨智超指出，双方合作成功研发出的 “新型高密度、高频宽 3D 动态随机存取存储器”，可应用于 AI 芯片中的 HBM 内存。目前，全球仅有少数顶尖研究团队提出了这种 3D DRAM ...

上证报中国证券网讯 据北方华创消息，日前，全球首颗采用嵌入式RRAM（Resistive Random Access Memory，阻变存储器）存储技术AMOLED显示驱动芯片完成开发 ...